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超高密度背板互连方案

超高密度56+ Gbp/s PAM4互连平台,采用成熟的压接技术和针对传统背板、直接正交和电缆设计方案优化的单Wafer设计。

  • 阻抗控制性能可达1毫米衰减
  • 每个差分对均为360度屏蔽
  • 为双差分对布线优化封装
  • 单Wafer设计可扩展以适应多种应用
  • 集成的导向功能极大地减少了宝贵的PCB边缘空间,同时为当今苛刻的卡设计提供了强大的保护和贴合
特征与优点
特性 优点
  • 56 Gb/s PAM4
  • 支持新兴的数据中心性能需求
  • 90欧姆标称阻抗
  • +/- 5 欧姆阻抗变化,可达1毫米衰减
  • 2毫米信号插针擦拭
  • 无极性接口可极大地减少电气残桩,同时保持冗余触点系统的高度可靠
  • 15.7 Mil Drill压接脚
  • 久经考验的压接技术,允许PCB背钻孔和封装,支持40 GHz带宽
  • 高密度
  • 可在1RU中支持8个差分对,在直接正交方案中支持多达144个差分对
  • RAF侧间距3 x 3.25毫米
  • 支持2个差分对布线,以降低PCB复杂性和成本
  • 各差分对配接束所有4侧均有接地结构
  • 信号隔离性能更高
  • 电缆、标准集管或直接正交配置的通用配合接口
  • 为灵活性提供的无缝系统设计
  • 压铸导模
  • 连接器设计中集成的强大导向功能,允许X轴+/-1.8毫米,Y轴+/-2.0毫米聚集
零件编号
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