DDR5内存模块插槽(SMT)

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符合最新JEDEC SO-023接口标准

安费诺垂直0.85毫米间距DDR5 DIMM插槽提供288个触点,专用于插接符合JEDEC MO-329标准的DDR5内存模块。此系列插槽可为服务器、工作站、台式机以及通信和工业设备中的嵌入式应用提供良好的内存扩展支持。

  • 可承受更高水平的系统级冲击和振动测试模块重量
  • 便于插拔模块卡
  • 支持更厚的多层主板
  • 优化气流
  • 符合环保要求
特征与优点
特性 优点
  • 间距更小,工作电压更低
  • 降低能耗
  • 支持更高的数据速率
  • 传输速度更快
  • 超薄型设计
  • 节省占板空间
  • 减小插接力
  • 便于模块卡拔插
  • 壳体和闩锁提供不同颜色选项
  • 有助于快速识别PCB
  • 提供窄闩锁选项
  • 通风效果良好
零件编号
目标市场&应用

关于DDR5 RAM需要知道的事

人们会对内存标准不时进行重新定义,以满足高级计算领域不断涌现的各类新需求。内存效能取决于多个关键特性,其中包括高密度、高速、低工作电压以及支持快速存取。

随机存取内存(RAM)技术一直处于不断演变之中。从每个时钟周期仅可以传输一组数据信号的单倍速同步动态随机存取内存(SDR SDRAM),再到双倍速(DDR)内存技术的问世,数据传输速度和效率均得到了极大提高。尽管SDR SDRAM可以在时钟信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,速度相比SDRAM提升了一倍,但事实上是随着DDR内存技术的引进,才使得内存运行速度、时钟频率和能源消耗得到了显著改善。.

DDR技术的发展

从DDR2到DDR3、DDR4再到新一代DDR5,DDR技术一直处于不断演变之中。DDR2推出了时钟倍频器功能,可以使数据传输速度加倍,在相同的总线速度下更快完成数据传输,这在当时属于一项革命性技术。但随着人们对于传输速度的要求越来越高,DDR3便应运而生。2014年,新一代高速DDR4标准继DDR3之后问世,DDR4技术具有低电压要求和高密度的性能优势。与DDR3的传输速度(800至1600 MT/s)相比,DDR4的传输速度达到了惊人的2133至3200 MT/s。

DDR5的特性

固态技术协会(JEDEC)是专门负责制定并及时发布性能标准的组织,宣布新一代DDR5相比以往各项技术均更加快速和高效,具有卓越性能。DDR5标准可以满足AI、机器学习以及顶尖数据中心和云环境领域不断增长的各类需求。

DDR5标准预计可将内存芯片的密度增加四倍,每个芯片的密度至多可从16千兆扩增至64千兆。此项新规范还将数据传输范围从3200 MT/s扩大至6400 MT/s,比SDRAM速度快了十六倍。DDR5的另一大特性在于其工作电压为1.2V,比DDR4(1.1V)更低。

DDR5的优点

DDR5采用了写入模式指令技术,可以避免使用总线来发送数据,能够有效地节省功耗。此外,DDR5规格内存在堆叠能力方面得到了大幅度提升,其内存高度是DDR4的两倍之多。还新增了判决反馈均衡功能,以提高IO速度的可扩展性,助力构建高频信号接口。

DDR5的同步刷新功能

"同步刷新" 是DDR5中新增的另一个重要功能。在包括DDR4在内的旧版内存技术中,即使仅需刷新某个存储体,系统也只能同时对所有存储体执行刷新操作。如此在刷新内存时,CPU被迫只能等待执行其他操作,从而影响了整个系统的性能。

旧式DIMM中共包含16个存储体,但在新版规范中数量增至为32个。通过“同步刷新”功能,每个存储体可以单独进行刷新,而不会影响其他存储体的功能,使得系统性能得到了显著提高。

DDR5的特色功能

DDR5具有片上ECC纠错机制等可扩展的附加功能,可以很好地支持制造更先进的芯片工艺节点。MIPI Alliance I3C Basic规范用于系统管理总线和DIMM设计。此规范还附带一个电压调节器,支持用户按照内存扩展需要进行付费使用,并在电压容差方面做了极大改进。这项技术既可以提高DRAM芯片的产量,还可以降低功耗。

安费诺的DDR连接器解决方案

安费诺一直致力于提供品类丰富的互连解决方案,以满足所有DDR连接器系列的产品需求。DDR2 SO-DIMM插槽是专为配接符合JEDEC MO-224的内存模块而设计。该系列插槽外形小巧,可以安装在小型底板中,从而为研发轻小型笔记本电脑提供大力支持。此款插槽提供2.5V和1.8V两种额定电压选项。

安费诺DDR3垂直型DIMM插槽支持高达4.8Gb/s的数据传输速率以及20.8毫米的连接器高度,专用于插接符合JEDEC M0-269标准的240位DDR3内存模块。DDR3插槽还具有低电阻触点,支持使用RDIMM,这有助于进一步降低数据中心硬件的功耗。

安费诺的尖端DDR4连接器

DDR4 SO-DIMM连接器的尺寸为常规DIMM的一半,可有效地降低功耗并改善散热效果。该系列260位SO-DIMM连接器提供4.00毫米、5.20毫米、8.00毫米和9.20毫米四种厚度选项,以及标准插接和反向插接两种模式。

安费诺还提供DDR4超薄型(ULP)垂直DIMM插槽。此款插槽提供288个触点,间距为0.85毫米。该系列连接器提供多种尾长选项,并且支持1.6毫米和2.4毫米的主板厚度,因此是服务器、工作站、台式电脑以及通讯和工业设备中的嵌入式应用轻松进行内存扩展的理想方案。

安费诺的DDR5连接器新品

安费诺还提供DDR5内存模块插槽(SMT),以满足不断涌现的新一代设计需求。安费诺垂直型0.85毫米间距DDR5 DIMM插槽提供288个触点,专用于插接符合JEDEC MO-329标准的DDR5内存模块。该系列插槽坚固耐用,可以承受高强度的系统级冲击和重量级振动测试模块

安费诺DDR5产品还包括标准版和窄插销版。由于DIMM插槽需要并排放置,因此窄插销版产品有助于增加空气流通。

安费诺DDR5产品还包括SO-DIMM版,点击此处,了解更多详情。